Всем привет уважаемые читатели моего блога. Сегодня у нас с вами на обзоре ( и разборе=) ) диффузионный кремниевый диод КД202К. Данный диод был предназначен для преобразования переменного напряжения (с частотой до 5 кГц) в постоянное, то есть в электрических схемах он выступал в качестве выпрямителя.
Маркировка данного диода расшифровывается следующим образом:
- К - кремниевый. Первая буква в маркировке диода характеризует исходный материал, который был использован для его разработки. Например, возможны еще варианты: Г – германий, А – арсенид галлия, И – фосфид индия;
- Д - диод;
- 202 - обозначает назначение и качественные свойства диода, порядковый номер разработки. В данном случае 202 - диод средней мощности со средним значением тока от 0,3 до 10А;
- К - классификация данного диода внутри технологического типа по одному или нескольким электрическим параметрам.
Если мы воспользуемся справочной информацией, то используя данную маркировку, мы сможем расшифровать, что КД202К обозначает кремниевый диффузионный выпрямительный диод с допустимым средним прямым током до 10А.
Конструктивно данный диод выполнен в металлостеклянном корпусе и имеет два внешних вывода. Нижний вывод (катод) выполнен в виде винта, который также выступает в качестве крепежного элемента данного диода. Для особо любознательных резьба М5. Верхний вывод (анод) выполнен в виде жесткого вывода, длиной порядка 1см.
Металлостекляный корпус в котором размещен данный диод является типовым, имеет обозначение КДЮ-11 и на его базе выполнен целый ряд диодов. Внутри данного корпуса размещается непосредственно p-n переход, выполненный в виде кристалла. p-n переход (электронно-дырочный переход) - это область, в которой соприкасаются два полупроводника, имеющие разный тип проводимости (p-тип и n-тип).
p-n-переход создается путем добавления (так называемого легирования) акцепторных примесей на одной стороне полупроводникового кристалла, в то время как другая сторона легируется донорными примесями. Граница между этими двумя областями называется PN-переходом.
В нашем случае с КД202, как вы сами понимаете, кристалл выполнен из кремния. В диффузионных диодах р-n переход создается при высокой температуре диффузией примеси в кремний из среды, содержащей пары примесного материала.
К областям с проводимостью p-типа и n-типа припаиваются выводы. К зоне p-типа припаивается анод, а к зоне n-типа катод.
Вскрыв диод мы можем увидеть кристалл, размещенный на кристаллодержателе. К нему был припаян верхний вывод диода. Он оторвался в процессе демонтажа верхней крышки корпуса данного диода.
В верхней части крышки корпуса находился стеклянный изолятор, на данной фотографии вы можете видеть его осколки. Я сжал бокорезами верхнюю часть крышки корпуса и данный изолятор рассыпался на мелкие осколки.
В нижней части корпуса расположен кристаллодержатель на котором размещен сам кристалл. Все это великолепие залито то ли слоем стекла, то ли слоем эпоксидной смолы. По ощущениям больше было похоже на мягкое стекло.
Если расковырять часть на которой расположен кристалл, то под ним окажется довольно мягкий металл, который по своей консистенции напоминает свинцовооловянный припой.
На сегодня это все, что я хотел вам показать про данный диод. Если у вас есть вопросы или замечания - пишите, буду рад ответить.
0 коммент.:
Отправить комментарий